■ 單通道和雙通道 N/P或組合器件測(cè)試   (MOSFET、IGBT以及二極管） 

■ 可測(cè)試高達(dá)2500V雪崩電壓、200A峰值電流等級(jí)設(shè)備 

■ 支持單脈沖雪崩測(cè)試（EAS)、重復(fù)雪崩能量測(cè)試(EAR）、 重復(fù)脈沖至失效測(cè)試(RPF) 

■ 高速校準(zhǔn)DAC可提升測(cè)試精度 

■ 用戶可調(diào)節(jié)的電源電壓(10V至150V)穩(wěn)定可靠 

■ 漏極、源極接觸檢查電路可檢測(cè)20Ω以下的接觸電阻，提 供報(bào)錯(cuò)提示(LED) 

■ 可設(shè)柵極驅(qū)動(dòng)電壓(*大電壓差:30V，*大電壓值:28V)適 應(yīng)不同被測(cè)件所需 

■ 可在雪崩前、雪崩后進(jìn)行可調(diào)值的泄漏測(cè)試、以確定被測(cè) 件當(dāng)前狀態(tài) 

■ 高速固態(tài)開(kāi)關(guān)、帶故障檢測(cè)功能 

■ 高精度的電流和電壓波形捕捉以及雪崩持續(xù)時(shí)間捕捉 

■  7寸24位色TF LCD電容式觸摸屏，中英文可選操作界面， 用于單機(jī)操作、輸入測(cè)試規(guī)格以及提供測(cè)試數(shù)據(jù)顯示。 

■ 提供指令用于用戶將屏幕信息存儲(chǔ)于U盤(pán) 

■ 儀器有開(kāi)機(jī)自檢和在線自檢功能、為用戶排查儀器內(nèi)部故 障問(wèn)題 

■ 配備簡(jiǎn)單自動(dòng)校準(zhǔn)程序，用戶可現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行校準(zhǔn) 

■ 配備多種接口:用于遠(yuǎn)程測(cè)試控制的GPIB接口、前后面板各配備一個(gè)的高速串行接口、支持高速傳輸數(shù)據(jù)的LAN 口。 LAN口不僅可用于遠(yuǎn)程測(cè)試控制,在用戶需要觀測(cè)即時(shí) 測(cè)試波形時(shí)，可使用 LAN口搭配上位機(jī)程序查看每一一次 的波形數(shù)據(jù)

■ 可與TH530-01 可編程電感負(fù)載箱(0.01 至159.9mH)或外部電感器配合使用 

■ 可外接示波器觸發(fā)器輸出，同步可視化雪崩測(cè)試過(guò)程，用 于準(zhǔn)確測(cè)量雪崩時(shí)間
TH530系列雪崩測(cè)試儀是同惠電子針對(duì)于半導(dǎo)體器件UIS （EAS）、EAR參數(shù)測(cè)量問(wèn)題的解決方案。

主要用于測(cè)量MOSFET 、IGBT 、Diode和雙極性器件（帶鉗位）的雪崩擊穿特性（電壓、能量等）。通過(guò)給被測(cè)器件施加可控制的感性能量，判斷出被測(cè)器件是否能正常吸收和承受電感釋放的能量。經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試的器件，就可安 全地用于有反向電動(dòng)勢(shì)的感性負(fù)載上。

TH530-25100B快速選型

A. 泄漏測(cè)試:可選擇啟用

每次雪崩測(cè)試前，在柵極電壓設(shè)置為0的情況下，用戶設(shè)置的泄漏電壓會(huì)被施加到被測(cè)件上，讀取電流檢測(cè)器測(cè)量值。根據(jù)測(cè)試儀的設(shè)置，可以在雪崩測(cè)試前、測(cè)試后或測(cè)試前后對(duì)被測(cè)件進(jìn)行泄漏測(cè)試。這不是測(cè)量實(shí)際漏電電流，而是確定被測(cè)件或測(cè)試夾具中是否存在短路的簡(jiǎn)單測(cè)試。

測(cè)試儀內(nèi)部的漏電穩(wěn)壓器電壓可從2V設(shè)置到為被測(cè)試裝置雪崩測(cè)試設(shè)置的漏極電壓。漏電流大于1mA會(huì)被檢測(cè)為漏電故障。漏電流*大限制為 8mA。

B. 雪崩測(cè)試原理

當(dāng)高速開(kāi)關(guān)和被測(cè)件接通時(shí)， 漏極電流增加，到達(dá)指定的比較點(diǎn)時(shí)，高速開(kāi)關(guān)與柵極關(guān)斷，斷開(kāi)漏極電壓電源。關(guān)斷時(shí)，電感中存儲(chǔ)的能量會(huì)產(chǎn)生較高的電壓，迫使被測(cè)件（以NMOS為例）進(jìn)入雪崩狀態(tài)，電流路徑由續(xù)流二極管維持。 因此，電感器中存儲(chǔ)的所有能量都轉(zhuǎn)移到了被測(cè)件上。此時(shí)電感上能量即為設(shè)定的可控?fù)舸┠芰浚布?/span>NMOS的雪崩能量（EAS）。

C. 測(cè)試結(jié)果波形

TH530可捕捉被測(cè)設(shè)備的電壓和電流波形，測(cè)試儀可將波形保存到測(cè)試結(jié)果文件中，在顯示屏幕上用戶*多可查看*近四次的波形數(shù)據(jù)。

為便于用戶查看，測(cè)試儀默認(rèn)同時(shí)顯示電壓電流波形，用戶仍可觸摸“電壓”或“電流”來(lái)單獨(dú)查看對(duì)應(yīng)波形。

半導(dǎo)體器件雪崩能量測(cè)試儀TH530-25100A產(chǎn)品應(yīng)用：

? 功率半導(dǎo)體的研發(fā)與制造

評(píng)估半導(dǎo)體器件的雪崩耐量，確保其能承受電路中感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的高壓尖峰，保證出廠質(zhì)量的可靠性。例如：IGBT 、MOSFET、功率二極管。

? 電源設(shè)備設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

驗(yàn)證設(shè)備在輸出短路等異常情況下，功率器件是否能承受因初級(jí)電感和大電流引起的雪崩能量而不損壞。例如：開(kāi)關(guān)電源、逆變器等設(shè)備的功率器件。

? 新能源汽車與工業(yè)驅(qū)動(dòng)

確保器件能應(yīng)對(duì)電機(jī)啟動(dòng)、堵轉(zhuǎn)等特殊工況下感性負(fù)載產(chǎn)生沖擊電流和電壓尖峰，確保系統(tǒng)安 全。例如：電機(jī)控制器（如變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器）功率開(kāi)關(guān)器件。